在20世纪90年代中期芯片制程是按照晶体管之间的间距来命令制造工艺的，但现在是按照新一代处理器比旧一代处理器提升5%~15%就可以命名为下一代处理器。按照媒体之前的拆解，台积电10nm芯片的金属间距约为40nm，5nm芯片的金属间距约为30nm；3nm芯片约为22nm。
而IMEC更是预测2nm时约为21nm，然后1.4nm约为18nm，1nm时还有16nm。
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在20世纪90年代中期芯片制程是按照晶体管之间的间距来命令制造工艺的，但现在是按照新一代处理器比旧一代处理器提升5%~15%就可以命名为下一代处理器。按照媒体之前的拆解，台积电10nm芯片的金属间距约为40nm，5nm芯片的金属间距约为30nm；3nm芯片约为22nm。
而IMEC更是预测2nm时约为21nm，然后1.4nm约为18nm，1nm时还有16nm。